半導体
MOS界面の反転層ができるまで2

MOS界面の反転層ができるまでの電荷の状態について説明した記事の続き。Siのp型半導体に酸化膜と金属の電極を形成した場合を考える。電圧を印加したときにMOS界面の反転層が形成される様子を次の4つに分けて説明する。0. 電 […]

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半導体
MOS界面の反転層ができるまで1

 MOS界面の反転層ができるまでの電荷の状態をまとめておく。Siのp型半導体に酸化膜と金属の電極を形成した場合を考える。電圧を印加したときにMOS界面の反転層が形成される様子を次の4つに分けて説明する。0. 電極も半導体 […]

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半導体
ダイオードで0.7V以上で電流が流れ始める理由

Siのpn接合ダイオードで0.7V以上で電流が流れ始めるのは、pn接合の境界に0.7V程度の障壁\((=\phi_i)\)があるからだ。"電流が流れ始める電圧"=数A以上電流が流れる電圧という意味で使っている。"電流が流 […]

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半導体
pn接合が熱平衡状態に達するまで

pn接合が熱平衡状態に達するまでの様子を説明した。\(n_i\) : 真性半導体密度, \(N_A\) : p型半導体の不純物濃度, \(N_D\) : n型半導体の不純物濃度, \(k\) : ボルツマン定数, \(T […]

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半導体
半導体の電位とエネルギー

教科書やWebでは電子のエネルギーを用いて半導体中のエネルギーを記述されることが多い。電子の電荷は負であるので、「①電子のエネルギー」と「②電位」の符号は逆である。①と②の符号が逆であるため、私はよく混乱してしまう。ここ […]

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